M.Yさん
2023年3月卒業
日東電工株式会社
この度、産業技術総合研究所(産総研)への派遣期間中にあげた研究成果により、第83回応用物理学会秋季学術講演会 講演奨励賞および令和4年度電子情報通信学会電子デバイス研究会 論文発表奨励賞を受賞し、ACS omegaへの論文投稿、第70回応用物理学会春季学術講演会および2023年電子情報通信学会 総合大会での招待講演にて成果発表を行いました。
研究テーマは、「転写フリーGraphene/六方晶窒化ホウ素(h-BN)/Si積層平面型電子源の開発」です。
電子源とは、電子顕微鏡や電子線リソグラフィ装置等のナノテクノロジーを支える電子線利用装置において、それら装置の性能を大きく左右する製品です。そんな電子源の中でも、産総研の村上勝久主任研究員が開発したGraphene/h-BN/Si積層平面型電子源は、エネルギーの均一な電子ビームを放出し、かつ低電圧・低真空で動作することから、電子顕微鏡の高分解能化や電子ビーム利用装置の小型化・低価格化に貢献しうる次世代素子として注目されています。私は本デバイスのh-BN の直接成膜技術を開発することで、デバイス作製プロセスの簡素化および歩留まり向上を達成しました。
最後に、懇切丁寧にご指導いただきました指導教員の根尾陽一郎准教授はじめ三村・根尾研究室の皆様、産総研の村上勝久主任研究員および産総研デバイス技術研究部門カスタムデバイスグループの皆様に心よりお礼申し上げます。
