電子物理デバイスコース
教授
研究テーマ
III族窒化物結晶成長技術を用いた新奇デバイスの創生
専門分野
半導体工学、結晶工学
有機金属気相エピタキシー(MOVPE)法を用いたIII族窒化物結晶成長技術の開発
MOVPE法を用いてGaNに代表されるIII族窒化物半導体の結晶成長技術開発を行っています。特に、BGaN結晶成長技術などホウ素(B)を含む結晶成長について詳細な検討を行っています。
III族窒化物半導体を用いた新規中性子検出器の開発
中性子半導体検出器の実用化に向けてBGaN半導体を用いた開発を実施しています。
